Intel desvela 3D XPoint memoria que es 1000 veces más rápido que el flash

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Chip de 128gb 3D XPoint

Intel y Micrón han anunciado una nueva clase de memoria no volátil que pretende ofrecer un gran avance en los chips de memoria. Conocido como 3D Xpoint (punto de cruz), la producción de esta memoria ya ha comenzado y podría dirigirse a las computadoras portátiles, computadoras súper y teléfonos inteligentes en el futuro.

3D XPoint está dirigida a reemplazar la memoria no volátil, tal como el flash NAND utilizado en los teléfonos inteligentes actuales, pero funciona de manera muy diferente. En lugar de usar transistores tradicionales que tienen que acceder en filas enteras, XPoint se construye a partir de un Patten sombreado 3D, lo que permite el acceso a las células individuales para escribir o leer los 1s y 0s de suma importancia.

Intel Micron 3D XPoint

Aquí es donde se jacta de que Intel 3D XPoint podría ofrecer mejoras en la velocidad de hasta 1.000 veces en comparación con flash NAND actual. En lugar de tener que cambiar, borrar y escribir datos en un bloque entero de células, XPoint puede tener acceso a las células de forma individual, lo que lleva menos tiempo.

"Esta nueva clase de memoria no volátil es una tecnología revolucionaria que permite un acceso rápido a enormes conjuntos de datos y permite aplicaciones completamente nuevas." - Mark Adams, presidente de Micron

Además, el diseño de rayado de Intel permite a la empresa para apilar capas 10 veces más denso que antes, lo que significa grandes aumentos en la capacidad de almacenamiento sin un aumento de la superficie del chip.

Intel y Micron planean inicialmente al fabricante de los chips de dos capas que almacenan 128 Gigabits (16GB) de datos, que es un tamaño similar al de memoria en una serie de teléfonos inteligentes. En el futuro, la tecnología se pueden apilar para capacidades más grandes y podría ser implementado en la unidad de estado sólido, como discos duros.

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