Hynix anuncia 8Gb LPDDR3, primero del mundo, los teléfonos de 4GB de RAM a finales de este año?

Chip de memoria Hynix RAM Fuente de la imagen: Tech Asia

RAM es una pieza clave de hardware móvil que está demasiado a menudo pasado por alto cuando hablamos de especificaciones de teléfonos inteligentes, pero es siempre tan importante para nuestras aplicaciones móviles cada vez más sofisticados. Ya sabemos que Samsung está trabajando en propia de cuatro gigabits (Gb) LPDDR3 chips de memoria móvil, que debe ofrecer una mejora del 30% en el rendimiento y un ahorro del 20% en el consumo de energía en comparación con un chip de 30 nm LPDDR3 DRAM.

Sin embargo Hynix parece ser uno-subiendo el gigante smartphone, ya que la compañía ha estado trabajando en su propio 20nm de ocho gigabit (el equivalente de 1 GB) chips de memoria, que se puede apilar juntos para proporcionar una memoria RAM de 4 GB friolera en un solo paquete. Para efectos de comparación, más nuevos chips de memoria móvil de Samsung sólo se ofrecerán 2 GB de RAM para dispositivos móviles.

Pero tan importante como el tamaño de memoria más grande, nueva RAM de Hynix se construirá en LPDDR3 de alta densidad que ofrece una mayor tasa de transferencia de datos, mayor ancho de banda, y la mejora de la eficiencia energética respecto a los diseños más antiguos. En términos de rendimiento bruto esta nueva memoria RAM tendrá su velocidad de transmisión de datos acelerado a 2,133Mbps, que es un poco justo más rápido que los 1,600Mbps ofrecidos por teléfonos LPDDR3 existentes, tales como el nuevo Samsung Galaxy S4, y duplica la velocidad de mayor memoria LPDDR2.

De acuerdo con el comunicado de prensa de Hynix, debemos una alta densidad de productos de memoria LPDDR3 con más de 2 GB de memoria aparecen en los dispositivos móviles de gama alta en algún momento del segundo semestre de este año. Lamentablemente, sin embargo, la producción en masa de estos chips de memoria más grandes no comenzará hasta el final del año, así que probablemente no será capaz de tener en nuestras manos una hasta que en algún momento del 2014.

Hynix Inc. (o "la Compañía", skhynix.com) anunció que ha desarrollado primero 8Gb (Gigabit) LPDDR3 del mundo (DDR3 de baja potencia) con su avanzada tecnología de proceso de 20 nm de clase. Este producto es una solución de memoria móvil superior rendimiento que cuenta con alta densidad, velocidad ultra alta y bajo consumo de energía.

Los nuevos productos se pueden apilar y se dan cuenta de una alta densidad de la solución máxima de 4 GB (Gigabytes, 32Gb) en un solo paquete. Además, la altura de este paquete se convierte dramáticamente más delgado que el basado-4 Gb existente. En cuanto a su alta densidad y altura conjunto competitivo, es adecuado para la nueva tendencia de las aplicaciones móviles.

El producto funciona a 2133Mbps que sobrepasa 1600Mbps de LPDDR3 existente en el aspecto de su velocidad de transmisión de datos y es DRAM móvil más rápido del mundo. Con una de 32 bits de E / S que procesa hasta 8,5 GB de datos por segundo en un solo canal, y 17GB en un canal dual. Funciona al de ultra bajo voltaje de 1.2V.

Si bien este nuevo LPDDR3 corre dos veces más rápido que LPDDR2, su consumo de energía de reserva se reduce más de un 10% con respecto a los productos LPDDR2, por lo que satisface tanto el consumo de energía bajo y de alto rendimiento que las aplicaciones móviles altamente demanda.

Puede ser proporcionada en diversas formas, tales como 'pop' (paquete en paquete) o estar en un solo paquete con 'eMMC' (integrado Multi Media Card) que se instala en dispositivos móviles, así como el tipo 'a bordo' incrustados en ultrabooks de alta gama y tabletas.

"Con el desarrollo de esta alta densidad LPDDR3 utilizando la clase 20nm, Hynix es ahora capaz de ofrecer un producto de alto rendimiento adecuado para los dispositivos móviles en el mercado", Senior Vice Presidente Richard Chin, Jefe de Ventas Globales Dijo Marketing. "Sobre todo, este desarrollo tiene su importancia ya que la empresa se ha asegurado la competitividad de nivel superior en los productos móviles, desarrollando simultáneamente con PC DRAM utilizando la misma tecnología de proceso de 20 nm de clase", agregó.

Las muestras de este nuevo producto se han enviado a los clientes y la empresa planea comenzar la producción en masa de la misma a finales de este año.

Se espera que la alta densidad de productos de memoria LPDDR3 más de 2 GB a ser notablemente más cargado principalmente en los dispositivos móviles de gama alta de la segunda mitad de este año. Para satisfacer las crecientes necesidades del mercado móvil, Hynix planea desarrollar las tecnologías más avanzadas para la industria de las aplicaciones móviles en rápida evolución y liderando el mercado con los productos de alto rendimiento.

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