Samsung comienza a producir Ram- móvil 3GB a tiempo para el Galaxy Note 3 y LG G2?

Informes anteriores dijeron que el próximo smartphone insignia de la compañía - el Galaxy Note 3 - vendrá con 3 GB de memoria bajo el capó, y el anuncio de Samsung llegó justo a tiempo para promover combustibles tales especulaciones. Por no hablar de que También se espera que el G2 LG tener 3GB de RAM a bordo.

Después de todo, podemos asumir con seguridad que sólo los teléfonos de gama alta ofrecen dicho hardware, con el Galaxy Note 3 y el G2 LG siendo los principales candidatos para utilizar la nueva RAM de baja potencia.

Además de ser eficientes en el poder, los nuevos módulos de memoria RAM son más rápidos, la oferta de LTE-A "llena" el apoyo y dejarán que los fabricantes de dispositivos crean dispositivos aún más delgados y utilizar el espacio reservado para las baterías más grandes u otros componentes:

[quote qtext = "La DRAM móvil de Samsung 3GB LPDDR3 utiliza seis de menor de 20 nanómetros de la industria (nm) de clase * de cuatro gigabits (Gb) fichas LPDDR3, en una estructura simétrica de dos conjuntos de tres chips apilados en un solo paquete sólo 0.8 milímetros de alto. Con una completa gama de dimensiones del paquete, las nuevas soluciones de memoria ultra-delgados de Samsung permitirán diseños de smartphones más delgados y permitir espacio adicional de la batería, al tiempo que ofrece una velocidad de transferencia de datos de hasta 2.133 megabits por segundo (Mbps) por pin ". qperson = "" qsource = "" qposition = "center"]

El siguiente paso para la compañía está desarrollando un módulo de 3 GB basado en cuatro chips 6Gb LPDDR3 DRAM para mejorar aún más el rendimiento de RAM.

Aunque no podemos confirmar en este punto si el Galaxy Note 3 y LG G2 serán efectivamente utilizar los nuevos módulos de memoria RAM 3GB de Samsung, la empresa que dice en su comunicado de prensa que la "adopción inicial se ampliará a la mayoría de los teléfonos inteligentes de gama alta en todo el mundo el año que viene ", sugiriendo que proporcionará dichos componentes a una variedad de fabricantes de dispositivos móviles.

Seúl, Corea - 24 de julio de 2013 - Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy la primera producción en masa de la industria de cada tres gigabytes (GB) de baja potencia de doble velocidad de datos 3 (LPDDR3) DRAM móvil, la solución de memoria móvil de mayor densidad para los teléfonos inteligentes de última generación, lo que traerá un cambio de generación en el mercado de los paquetes de 2GB que son ampliamente utilizados en los dispositivos móviles actuales.

La DRAM móvil de Samsung 3GB LPDDR3 utiliza seis de 20 nanómetros (nm) clase más pequeña de la industria * de cuatro gigabits (Gb) fichas LPDDR3, en una estructura simétrica de dos conjuntos de tres chips apilados en un solo paquete de sólo 0,8 milímetros de altura. Con una completa gama de dimensiones del paquete, las nuevas soluciones de memoria ultra-delgados de Samsung permitirán diseños de smartphones más delgados y permitir espacio adicional de la batería, al tiempo que ofrece una velocidad de transferencia de datos de hasta 2.133 megabits por segundo (Mbps) por pin.

"Tres gigabyte móvil DRAM será adoptado en la mayoría, los teléfonos inteligentes de gama alta para arriba-hasta la fecha a partir de la segunda mitad de este año - una adopción inicial que se expandirá a la mayoría de los teléfonos inteligentes de gama alta en todo el mundo el próximo año", dijo Young- Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas de memoria comercialización, Samsung Electronics. "Vamos a desarrollar una nueva solución 3GB LPDDR3 basado en cuatro chips 6Gb LPDDR3 DRAM apilando simétricamente dos fichas a cada lado, lo que aumentará el rendimiento del smartphone al siguiente nivel a fin de año."

Con el aumento de la capacidad de DRAM móvil, los usuarios pueden disfrutar de alta calidad sin fisuras, la reproducción de vídeo Full HD y más rápido multitarea en sus teléfonos inteligentes. Además, el nuevo LPDDR3 acelera la descarga de datos y es capaz de ofrecer soporte completo para el servicio LTE-A (LTE Advanced), un estándar de telecomunicaciones móviles de próxima generación.

De Samsung 3GB LPDDR3 DRAM conecta con un procesador de aplicación móvil usando dos canales de transferencia de datos simétricos, cada uno conectado a una parte de almacenamiento de 1,5 GB. Aunque el flujo de datos asimétrica puede provocar caídas de rendimiento agudas en ciertos ajustes, la estructura simétrica evita estos problemas, al tiempo que maximiza el rendimiento a nivel de sistema.

Teniendo en cuenta que la capacidad de almacenamiento de memoria actual para PC es de aproximadamente 4 GB, que ofrece 3 GB de memoria DRAM en dispositivos móviles deberían ayudar a la mayoría de los usuarios disfrutan de un rendimiento de una PC, en la reducción de la brecha de rendimiento entre el PC y el teléfono inteligente de computación.

Con el nuevo 3GB LPDDR3 DRAM, Samsung está ofreciendo la más amplia gama de densidades de DRAM móviles (1GB, 2GB y 3GB), al tiempo que proporciona primera DRAM móvil de la industria basada en la tecnología nodo de proceso de clase de 20 nm. Samsung planea seguir liderando el crecimiento del mercado de memoria móvil, ya que trata de mantener la competitividad sin igual en el sector de memoria premium.